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Fairchild飞兆系列N沟道MOSFET管主要参数速查表
说阴：BVDSS表示D、S极间的最高耐压;实际工作电压不得高于此电压;RDS(on)表示在G、S极间加上一定电压时的D、S极间导通电阻，Max表示最大值;Qg表示在GS极间加上一定电压时的栅极(G)充电电量，单位是库仑(C);V...
马海川 2023-05-13
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在平板电视、平板电脑、笔记本电脑、MP4、移动DVD等家电产品，大量采用了贴片场效应三极管(许多产品引脚超过三只)。本表特搜集了上述家电产品常用的贴片场效应三极管的主要参数、封装形式及引脚功能等资料，供维修人员选管时参考。表中“...
王绍华 2023-04-23
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Y-QFT4503M采用8脚贴片封装，实为一只复合MOSFET，内含一只P沟道和N沟道场效应管，如图1所示，其最大漏源电流Idsm为7A，最大漏源电压Vds为30V。该元件在TCL液晶彩电中的应用电路如图2所示，U1.U2 (y-QFT450...
景曙光 2023-01-14
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SI4942是一个双N沟道的MOSFET管，内置有两个40V的N沟道MOSFET管，如图1所示。该元件多用于液晶彩电的背光灯管驱动电路，与高压输出变压器组成桥式功率推挽电路，接收前级的激励脉冲，输出正弦波电压驱动CCFL灯管。 ...
景曙光 2023-01-14
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1、DC-DC升压IC芯片 2、DC-DC降压IC芯片 3、DC-DC反转倍压芯片 4、低压差线性稳压器LDO 5、高耐压LDO 6、低电压...
伍永顺 2022-10-26
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概述：ME9435A是一款MOS场效应管集成IC电路，其工作电流5A、耐压30V，它是一个P沟道的MOS管，可以用来做电子开关作用，它的1、2、3脚是输入电压，5、6、7、8是输出，4脚电平输出。ME9435A采用贴片SOP-8脚封装工艺。 一、ME9435...
王朋整理 2022-05-18
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扬杰电子科技股份有限公司(简称扬杰科技)成立于2000年，公司总部位于我国扬州市，该公司集半导体分立器件与芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务于一体，其产品有整流器件、保护器件、MOS管、功率模块等多种类型，广泛用于家电、照明、工控、汽...
景然 2022-04-10
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MOSFET管代换一览表说明：可以相互替代的一些场管，如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换。 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >，可替代市面上各类型9435 ： APM9435、CEM9435、AP...
官修qq整理 2022-03-29
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概述：8205S是一款N沟道功率MOS场效应管，漏源最大电压20V，栅源电压±8V，最大漏极电流5A。 一、8205S引脚功能 二、8205S方框图 三、8205S极限电气参数 ...
中华维修整理 2022-03-16
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表格说明:(1)表中Vxs (max)表示漏源极击穿电压，ID(max)表示漏源极最大直流电流，PD(max)(W)表示环境温度为25°C时的最大耗散功率，VGS(max)表示加在栅源极的最大电压，RDS(on)(tp)表示在外...
景然 2022-01-29
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IRFU020 金属氧化物场效应管，其采用TO-251封装工艺。 材料：N-FET 用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm：50V 极限电流Im：15A 耗散功率P：42W 导通电...
中华维修整理 2020-09-08
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BUZ91A是一个大功率场效应管，其漏源击穿电压Vvrds=900V、漏极电流Id=5A、漏极最大耗散功率25W，所以BUZ91A可以用2SK10、IXGH10N100、MTM6N90、MTM8N90等直接代换。 ...
voyager整理 2019-07-01
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2SK1198是一款VMOS场效应管，电源开关管，其参数为BVDss：800V；Ids：3A；ID：6A；PD：90W。用500型万用表测其正常极间电阻为：G极(栅极)对D(漏极)、S极(源极)正反向电阻均为无穷大，红表笔接D极、...
佚名 2019-06-30
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概述：BUZ90A是一款大功率增强型N沟道V-MOS场效应管，其主要参数源、漏极间最大电压Vgss=900V、漏极电流Idss=8A、最大功率Pdm=120W。BUZ90A可用BUZ91A、MTM8N90、IXGH15N100、2SK794等场效应来直接代换。 ...
张磊整理 2019-06-28
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