• 大功率场效应管BUZ91A的参数与代换

    BUZ91A是一个大功率场效应管,其漏源击穿电压Vvrds=900V、漏极电流Id=5A、漏极最大耗散功率25W,所以BUZ91A可以用2SK10、IXGH10N100、MTM6N90、MTM8N90等直接代换。 ...

    2019-07-01 11:25:50

  • 电源开关管2SK1198的测量与代换

    2SK1198是一款VMOS场效应管,电源开关管,其参数为BVDss:800V;Ids:3A;ID:6A;PD:90W。用500型万用表测其正常极间电阻为:G极(栅极)对D(漏极)、S极(源极)正反向电阻均为无穷大,红表笔接D极、...

    2019-06-30 11:35:27

  • 大功率MOS场效应管BUZ90A

    概述:BUZ90A是一款大功率增强型N沟道V-MOS场效应管,其主要参数源、漏极间最大电压Vgss=900V、漏极电流Idss=8A、最大功率Pdm=120W。BUZ90A可用BUZ91A、MTM8N90、IXGH15N100、2SK794等场效应来直接代换。 ...

    2019-06-28 11:10:16

  • 晶体管TM139M108(A)参数

    TM139M108(A)材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:90&n...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM139M161(A)参数

    TM139M161(A)材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:90&n...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM139M47(A)参数

    TM139M47(A)材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:60&nb...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM139M48(A)参数

    TM139M48(A)材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:90&nb...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM139M60参数

    TM139M60材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:90...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管LM061参数

    LM061材料:FET外形:图用途:MOSFET半桥组件,极限电压Vm:200极限电流Im:16最大漏...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管LM059参数

    LM059材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:200极限电流Im:18最大漏...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管LM052参数

    LM052材料:FET外形:图用途:MOSFET全桥组件,极限电压Vm:200极限电流Im:18最大漏...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管LM051参数

    LM051材料:FET外形:图用途:MOSFET半桥组件,极限电压Vm:200极限电流Im:18最大漏...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM139M64参数

    TM139M64材料:FET外形:图用途:MOSFET半桥组件,极限电压Vm:200极限电流Im:30...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM1592M108(A)参数

    TM1592M108(A)材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:100极限电流Im:90&...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM159M108(A)参数

    TM159M108(A)材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:100极限电流Im:90&n...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM119M61参数

    TM119M61材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:400极限电流Im:45...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管TM159M63参数

    TM159M63材料:FET外形:图用途:MOSFET半桥组件,极限电压Vm:100极限电流Im:40...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管LM022参数

    LM022材料:FET外形:图用途:MOSFET全桥组件,极限电压Vm:500极限电流Im:7最大漏极...

    2017-05-16 11:43:12

  • NG30D2YM1参数

    NG30D2YM1材料:FET外形:图用途:MOSFET半桥组件,极限电压Vm:250极限电流Im:30 ...

    2017-05-16 11:43:12

  • 晶体管LM029参数

    LM029材料:FET外形:图用途:MOSFET独立组件,极限电压Vm:500极限电流Im:7最大漏极...

    2017-05-16 11:43:12