AO系列MOSFET型号很多，广泛用于家电、机电及通讯产品中，主要用于开关电源、DC-DC变换、开关控制和逆变电路中。表1为该系列MOS-FET的主要参数，表2为相关封装外形图。表1中的主要参数含义如下:
       VDS:D，S极击穿电压，即当vGS=0V时，MOSFET的D.S极间所能承受的最大电压;
       vGS:MOSFET的G、S极间所能加的最高电压，-般为-20V~+20V ;
       IDS:MOSFET的G、S极间最大电流，会随温度的升高而降低;
       PD:最大耗散功率;RDS(ON):在VGS等于-定值时，D、S极间的导通电阻;
       Qg:G极总充电电量;
      Qgd:G D极间充电电量;
       Ciss:输人电容，Ciss=CGD+CGS;
       Coss:输出电容， Coss=CDS+CGD;
       Crss:反向传输电容;
      Td (on): 导通延迟时间，从输人电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间;
      Td (off):关断延迟时间，从输人电压下降到90%开始到VDS.上升到其关断电压10%的时间。

       数值前带“★”号者，表示该项值略有变化。