• 晶体管C2T211参数

    C2T211材料:N-FET外形:图用途:双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:27极限电流Im:40m&nb...

       2008-07-16

  • 晶体管C2T206参数

    C2T206材料:N-FET外形:图用途:双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:25极限电流Im:30m&nb...

       2008-07-16