概述：FDS4685是一款40V P沟道功率 Trench® MOSFET芯片，这款 P 沟道 MOSFET采用先进的Power Trench工艺的坚固栅极版本，它已针对需要宽范围栅极驱动电压额定值 (4.5V-20V) 的电源管理应用进行了优化。FDS4685采用SO-8引脚封装工艺。


一、FDS4685引脚功能和实测电压值


二、FDS4685极限电气参数