之前介绍的光控自动照明灯都采用微触发单向可控硅作为主控回路,所以负载能力有限,灯泡功率一般应控制在100W以下,因此不适合用于大功率控制场合。本节介绍的光控自动照明灯则采用大电流双向可控硅作为主控回路,所以驱动功率较大,适合大功率控制场合。


一、电路原理

    光控制自动照明灯的电路如图所示,电路由可控硅主回路、光控电子开关及电源电路等几部分组成。

    电源电路由电容C1、C2和二极管VD1、VD2等组成,接通电源后,电容C2两端可获得12V左右直流电压,供光控电子开关电路使用。光控电子开关由三极管VT、光敏电阻器RG及电位器RP、电阻R2等元件组成。白天RG受到自然光线照射而呈低电阻,三极管VT基极为低电平,所以三极管VT与可控硅VS都处于截止状态,灯H不亮。夜幕来临,照射在RG的光线变弱,RG呈高电阻,使得VT基极电位上升,当升至0.7V左右时,VT导通,+12V电源就通过VT加至在可控硅VS的控制极G上,使VS迅速开通,电灯H就通电发光。调节电位器RP的阻值,可以改变电路的起控点,使电灯H在合适的光照度下点亮发光。

二、元器件选择与制作
    VT可用9013型硅NPN三极管,β≥100。VD1选用12V、1/2W稳压二极管,如2CW60型等,VD2可用1N4004型等硅整流二极管。VS如选用BCR3AM耐压600V的双向可控硅,负载能力可达600W。如果电灯H总功率超过600W,可换用通态电流更大的双向可控硅,但此时应将电容C1的容量加大到1μF,以获取较大驱动电流,同时还需将稳压管VD1的功率由1/2W增至1W。
    RP选用WSW型有机实芯微调电位器,R1、R2均用RJ—1/4W型金属膜电阻器,RG选用MG45型等非密封型光敏电阻器。C1要求采用CBB—400V型聚丙烯电容器,C2可用普通CD11—25V电解电容器。

    下图是本机印制电路板图,印制电路板尺寸为50mm× 35mm。除灯泡外,其余所有电子元件均插焊在自制电路板上,可控硅VS应加装面积足够的铝质散热片。使用只需调整电位器RP,使电灯H在合适的光照度下能自动点亮发光即可。