4．用指针式万用表检测功率场效应管 
    以测NMOS管为例，参照图3。 
    功率MOS管在生产时，不可避免地在D—S间形成一只寄生二极管。这只二极管的电流、速度和功率，与MOS管正向特性属同一个级别。因此，如果不计成本时，可以取代有的快速续流二极管。这只寄生二极管在为用500型万用表判断功率MOS管三个极和好坏时提供了方便。 
    第一步，确定二个极，即栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。大功率设备中，一般都在功率级采用VDMOS管。用导线将三个极短路一下，短路的目的是的了泄放栅极的电荷。用电阻×1挡找到其中两个极，特点是正测导通，指针指到一半左右，反测指针不动。那么正测时，黑表笔对应S极，红表笔对应D极。还有一个佐证的办法，就是剩余的那个极无论和其余极正、反测，指针都不动，这个极就是栅极。  

    第二步，检测MOS管的好坏。首先用导线将G—S二个极短路一下，然后用电阻挡×1、×10、×100都行，黑表笔接D，红表笔接S，好管指针不动。 
    然后，利用10k挡较高电压触发G极。具体操作是保持红笔接S不动，将黑笔接G极，将电阻挡拨10k挡，很快将黑表笔移至D极，好管此时导通，而且转换到×1k、×100、×10、×1任何挡部导通。 
    保持黑笔D极、红笔S极不动，表针处于导通态。用导线(例如焊锡丝)短路一下G—S，好管立刻截止，指针返回无穷大位置。 
    几点解释： 
    (1)功率MOSFET属于绝缘栅型半导体器件，它的三个极：G、S和D是相互绝缘的。功率MOSFET的漏极及源极之间寄生了一个二极管，在测试时，用指针式三用表(测电阻的1k挡)可以测出二极管的阴极与阳极，由此确定D和S。 
    (2)为什么在测D—S之间电阻时，要将S和G连接在一起?这是因为在测低阈值电压功率MOSFET时，它的Vgs(th)=0.45～1V。在测G—S间电阻时，由于测量的电表中有1．5V电压，使在绝缘层两个极板上产生电荷，产生了导电沟道。由于没有放电通路，这电荷放不掉，所以若在测G、S之间的电阻后，不将G与S连接在一起放掉电荷，则会测出D、S间电阻很小的情况(因为表内1．5V电池电压加在D、S极，G、S极产生的感应电荷已形成导电沟道，所以测出电阻很小。而G、S连在一起，则形成放电回路，不会形成导通条件。 
    在冬、春空气干燥时，人体本身也可能有电荷存在，用手捅一下栅极G，D、S极就可能使管导通。因此，小功率的绝缘栅场效应管储存和运输时，要求用金属短路三个极，并严格要求手腕不接地线时，严禁用手触摸栅极G，防止击穿栅极G。 
    (3)若用上法测量时，发现G与S之间或G与D之间电阻较小，或G、S接红表笔，D接黑表笔时，电阻不是∞(几十kΩ或几百kΩ)，则此管已损坏。 
    测P管的方法与测N管相同，但极性相反，请读者自行分析。 
 

5．用指针式万用表检测电容 
    利用指针型万用表可以检测电容，依据是万用表的电阻挡相当于有内阻的直流电，可以对电容进行充电，随时间推移，电容两端电压逐渐升高，充电电流逐渐下降，直到零。测试示范参照图4。 
    具体步骤： 
    (1)对电阻挡选择合适挡位，一般容量0．01uF以下的，选×10k挡；1uF左右，选×1k挡；47uF以上，选×100挡或×10k挡。 
    (2)每测一次，用导线对电容短路一下，再进行下次测试。 
    (3)电解电容有极性，反接漏电大。由于黑表笔是接表内电池正极，因此，黑表笔接电容正极，红表笔接电容负极，这时其漏电小。 
    好电容表现是，指针偏转一下，然后逐渐返回到零(就是无穷大)位置。指针偏转量与电容量和电阻挡位有关。容量大偏转量大，随实践的深入，掌握规律和数据后，也就熟能生巧了。 
    失去容量的电容表现是指针不偏转，不要放电，迅速换一下表笔，指针也不偏转。失去部分容量的电容表现是，与标准电容比较，指针偏转不到位。漏电电容的表现是，指针回不到零(就是无穷大)位置。需要注意的是，电解电容或大或小存住漏电，耐压低的漏电大，耐压高的漏电小；用×10k测漏电大，用×1k以下测漏电小。 
    除电解电容外，瓷片、涤纶、金属化纸介、独石电容耐压部大于40V，用万用表测试，无论哪个挡都不应该漏电。 
    用万用表测量小容量电容，还可以利用小功率NPN三极管，方法见图4(f)，用电阻×1k挡测试，黑表笔接集电极，红表笔接发射极，将小电容接触一下集电极，指针应偏转一下。原理是，电容充电时，充电电流给基极注入了基极电流，这个电流经三极管放大，指针偏转就比较明显。 
    图4(c)是铝电解电容结构，对使用极性有严格要求。由图中的公式可知，平板电容器的容量与介质的介电常数成正比，与极板相对面积成正比，与极板距离成反比。正极是铝箔，为扩大面积，内面腐蚀是高低不平，介质是绝缘物氧化铝，很薄，负极是电解质，右面的铝箔充当了引线。正确使用时，正极接高电位，负极接低电位，电解质在直流电的作用下，分解出氧原子，与正极铝箔生成氧化铝，维持了绝缘；不正确使用时，正极接低电位，负极接高电位，电解质在直流电的作用下，会腐蚀氧化铝，破坏绝缘，轻者漏电，严重的发热，甚至爆裂。因此，使用一定要注意极性，长期不用要经常通电老化。
 

6．电阻和电容的直观识别 
    碳膜和金属膜电阻，大多数用色环法表示其电阻值和误差系数。因此，正确识别它，是制作及维修的基本要求之一。最常见的有四环法和五环法。详见表2色环电阻的标识认读。四环法适合10Ω以上的整数电阻，五环法适合100Ω以下的包括带小数的电阻。实际上厂家往往省掉偏差环，这样出现了所谓非标三环和非标四环。因此要特别注意区别非标准四环和标准四环，当你没有把握时，要用万用表核实一下。 
    进口电阻和国产电阻的色环法一样。但是电路图有的有差异。有些国家在印刷文字时，往住把整数部分置在单位的前面，而把小数部分写在单位的后面，省略了小数点，优点是避免印刷或磨损丢失小数点，造成失误。例如：4k7=4．7kΩ，Ω51=0．51Ω，M24=240k，近年来国内也有这样印制标记的。 
    另外，电视机上使用了一种叫做自熔电阻(也叫自复式保险丝)，电流超过额定值时会自动断开，常用于保护电路，阻值在几欧姆。在开关电源中常有使用。 
    电容的表示方法： 
    国产电容的表示方法和电阻差不多，第一部分主称用C表示，第二部分表示介质材料和电容种类，其标示见表1。  

    电容的基本单位是法拉特，符号F。常用单位有微法uF，微微法uuF，即pF，简称皮法，毫微法nF，简称纳法，进率： 
    1F=1000000uF；1F=1000000000nF；1uF=100000 
0pF；1uF=1000nF。 
    国外电容容量表示方法： 
    (1)在欧洲(如匈牙利、波兰等国)在电路图印刷文字时，往往把整数部分置在单位的前面，而把小数部分写住单位的后面，省略了小数点，避免印刷或磨损丢失小数点的失误。例如： 
    10n=0．01uF；  M1=0．1uF；  4n7=4700pF；  6n8=6800pF；2n4=2400pF 
    另外，有些是在数字前冠以R，则表示为零点几uF如R33为0．33uF，还有更省事的。 
    (2)常用国外电容包标法。单位：pF 
    (3)数码表示： 
    一般用三位数来表示容量的，其单位为pF，前两位为有效数字，第三位一般为补零的个数，印刷在瓷片和涤纶电容身体上，例如： 
    103为10000pF=0．01uF；102为1000pF，但是，第三位如为9，则表示在两位有效数字间加一个小数点，例如：339为3．3pF；229为2．2pF。 
    (4)电解电容容量和耐压都印刷在元件上。其中负极有负号。新的电解电容，腿长的是正极，腿短的是负 
极。 
    (5)普通瓷片和涤纶电容印字的面右端或带“-”标记的为负极。