用手机访问
晶体管MHT晶体管2N80HXV(A)参数
MHT2N80HXV(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:800极限...
2017-05-16
晶体管MHR5N100H-X(A)参数
MHR5N100H-X(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:1000...
晶体管MHR5N100H-XV(A)参数
MHR5N100H-XV(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:1000 ...
晶体管MHR8晶体管P20(A)参数
MHR8P20(A)材料:P-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流I...
晶体管MHR8晶体管P20HX(A)参数
MHR8P20HX(A)材料:P-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电...
晶体管MHR8晶体管P20HXV(A)参数
MHR8P20HXV(A)材料:P-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限...
晶体管MHT10P10(A)参数
MHT10P10(A)材料:P-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流...
晶体管MHT10P10HX(A)参数
MHT10P10HX(A)材料:P-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限...
晶体管MHT12P10(A)参数
MHT12P10(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流...
晶体管MHT12P10H-XV(A)参数
MHT12P10H-XV(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...
晶体管MHT18N20(A)参数
MHT18N20(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流...
晶体管MHR35N10H-XV(A)参数
MHR35N10H-XV(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...
晶体管MHT晶体管2N80HX(A)参数
MHT2N80HX(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:800极限电...
晶体管MHR35N10H-X(A)参数
MHR35N10H-X(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极...
晶体管MHT4N50(A)参数
MHT4N50(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500极限电流I...
晶体管MHT10P10H-XV(A)参数
MHT10P10H-XV(A)材料:P-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100...
晶体管MHT4N50HX(A)参数
MHT4N50HX(A)材料:N-FET外形:图用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:500极限电...
晶体管2N7276H参数
2N7276H材料:N-FET外形:图用途:功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:7&nb...
晶体管2N7317H参数
2N7317H材料:P-FET外形:图用途:功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:100极限电流Im:11&n...
晶体管FT6241参数
FT6241材料:N-FET外形:图用途:功率放大,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm:200极限电流Im:8&nbs...