晶体管MHT10P10HX(A)参数

MHT10P10HX(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2017-05-16

晶体管MHT10P10(A)参数

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   2017-05-16

晶体管MHR8晶体管P20HXV(A)参数

MHR8P20HXV(A)材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限...

   2017-05-16

晶体管MHR8晶体管P20HX(A)参数

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   2017-05-16

晶体管MHR8晶体管P20(A)参数

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   2017-05-16

晶体管MHR5N100H-XV(A)参数

MHR5N100H-XV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000 ...

   2017-05-16

晶体管MHR5N100H-X(A)参数

MHR5N100H-X(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000...

   2017-05-16

晶体管MHT晶体管2N80HXV(A)参数

MHT2N80HXV(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限...

   2017-05-16

晶体管MHT12P10HX(A)参数

MHT12P10HX(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限...

   2017-05-16

晶体管2N7089参数

2N7089材料：P-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：100极限电流Im：10...

   2017-05-16

晶体管2N7086参数

2N7086材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极限电流Im：14...

   2017-05-16

晶体管APT10040HBEN参数

APT10040HBEN材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：极限电流Im：20.5&nb...

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晶体管APT35M21PCEN参数

APT35M21PCEN材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：350极限电流Im：183&...

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晶体管APT35M40PBEN参数

APT35M40PBEN材料：FET外形：图用途：MOSFET半桥组件,极限电压Vm：350极限电流Im：95&n...

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晶体管BM139,R,RS,S参数

BM139,R,RS,S材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：200极限电流Im：30&n...

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晶体管FFM043R,RS,S参数

FFM043R,RS,S材料：FET外形：图用途：MOSFET三相桥组件,极限电压Vm：400极限电流Im：8&n...

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晶体管FFM042R,RS,S参数

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晶体管EFM119M53参数

EFM119M53材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：400极限电流Im：120&nbs...

   2017-05-16

晶体管FFM041R,RS,S参数

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   2017-05-16

晶体管EFM119M49(A)参数

EFM119M49(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET全桥组件,极限电压Vm：400极限电流Im：15&n...

   2017-05-16