本电路中，555时基电路构成了一个压控式振荡器，控制端配合场效应管可实现占空比的大范围调节，电路如图。电路中，555时基、电阻R1、R2、电容C1～C3及三极管VT1构成一个压控式多谐振荡器，场效应管(JFET)VT在这里等效为压控电阻，通过改变其门(G)-源(S)电压VGs可改变VT-的漏(D)、源(S)间的阻抗。

        接在场效应管漏极D和源极S的耦合电容C1、C2，用于防止其余电路的直流电压对JFET的影响。为不使耦合电容影响时基电路的充、放电时间，C1、C2的大小宜选为定时电容C3容值的10倍。
        该电路的优点在于：通过场效应管门一源间电压VGs的变化，使VT1形成一个可调范围很大的可变电阻Rx(可大至几百kΩ)，从而获得极大的占空比和周期的变化。