大功率半导体器件对温度敏感、怕热,过热容易损坏,所以大电流下将电压降低(既功耗更小)会更耐用,如果功耗过大发热严重,必然寿命缩短,可靠性差。下图中的电路利用大电流下,测试全桥与IGBT的压降,压降降低之后,必然功效小,更可靠。万用表提供的测试电压低,测试电流小,测试有局限性。

      电磁炉常用全桥为15A/600V ~ 25A/800V,IGBT一般为15A~25A/1200V,以2100W电磁炉为例,Io≈9A(因为电磁炉功率因素不可能为I,所以功率÷电压得到的电流值,作为估算值),其实测数据如下(模拟实验以接近真实的工作电流为目的):

       以英飞凌(西门子)的IGBT管的压降低,功耗更小,更可靠,散热片也可以相对小一点,市场上所谓的英飞凌H25R1202明细是假品。

      由于元件的高频特性与耐压参数无法测量,此方法职位挑选元件提供一个参考。