概述:FSL116HR是安森美半导体出品的一款集成脉冲宽度调制器 (PWM) 和 SenseFET,它专为具有最少外部组件的高性能离线开关模式电源 (SMPS) 而设计。 FSL116HR包括集成高压电源开关稳压器,该稳压器将雪崩坚固型SenseFET与电流模式 PWM 控制块相结合。其集成PWM控制器包括:欠压锁定 (UVLO) 保护、前沿消隐 (LEB)、用于 EMI 衰减的频率发生器、优化的栅极开启/关闭驱动器、热关断 (TSD) 保护和用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精密电流源。 FSL116HR提供良好的软启动性能。FSL116HR可以和常见的DH321互换,脚位不变,只需要4脚挑起悬空即可


一、FSL116HR功能和特性

1、耐雪崩的内部 SenseFET (650 V)
2、间歇模式下,265VAC 空载时的待机功耗低于50mW
3、工作频率精确固定,可提供频率调节以减少电磁干扰
4、内部启动电路
5、内置软启动:20ms
6、逐脉冲限流
7、提供各种保护:过压保护 (OVP)、过载保护 (OLP)、输出短路保护 (OSP)、异常过流保护 (AOCP) 和带滞回的内部热关断功能 (TSD)
8、自动重启模式
9、欠压锁定(UVLO)
10、工作电流低:1.8mA
11、可调节峰值限流


二、FSL116HR引脚功能

管脚号  引脚名称  描述
 1   GND  接地.初级侧的 SenseFET 源极端子和内部控制接地。
 2   VCC  正电源电压输入.虽然连接到辅助变压器绕组,电流从引脚 5 (VSTR)通过启动期间的内部开关(见图2).一旦V抄送达到 UVLO 上限阈值 (12V),内部启动开关打开,器件电源通过辅助变压器绕组供电。
 3   VFB  反馈电压PWM 比较器的同相输入,内部连接一个 0.4mA 电流源,而电容器和光耦合器通常连接在外部。对外部电容器 C 充电时存在延迟脸书使用内部 5μA 电流源从 2.4V 至 6V。此延迟可防止瞬态条件下的错误触发,但仍允许保护机制在真正的过载条件下运行。
 4   IPK  峰值电流限制.调整 SenseFET 的峰值电流限制。反馈 0.4mA 电流源被转移到内部 6kΩ 电阻器和任何外部电阻器的并联组合到此引脚上的 GND 以确定峰值电流限制。
 5   VSTR  启动.连接到经过整流的交流线路电压源。在启动时,内部开关提供内部偏置并为放置在 V 之间的外部存储电容器充电抄送引脚和接地。一旦V抄送达到12V,内部开关打开。
 6, 7, 8   Drain  设计用于直接连接到变压器的初级引线,并且能够切换最大 650V 的电压。最小化将这些引脚连接到变压器的走线长度可降低漏感。


三、FSL116HR内部方框图


四、FSL116HR典型应用电路