电子词典原理分析与维修(图文 下篇)

 

 

 

 

应用电路图及方案介绍

图 3.7.3为3288显示部分与主控CPU MS37021的接口部分：

LCD D0-LCD D4：显示数据输入；LCD CK：显示时钟输入；LCD ON：LCD 开关显示控制；LCD LD： 显示数据锁存信号；LCD POL：驱动电压极性转换信号；PA6：控制命令串行输入时钟信号；PA7： 控制命令串行输入数据信号；VCC/GND：显示电源和地输入。
说明：显示部分直接从主电源 3V 供电。U1、U2(ST8008)完成 160 列扫描输出。U3(ST8009) 完
成 96 行扫描输出，同时通过 C7-C11 组成 6 倍压升压电路，升压后电压由 VOUT 输出，C6 作为滤波 电容。此电压经内部稳压和分压输出 V0-V4 五个不同的电压供驱动使用，C1-C5 分别是它们的滤波 电容。R5-R6 是为了平衡 V0-V4 电压而加的，可以改善上电时蓝屏显示的问题。该方案没有外接的 参考电压调节，所以不能从硬件上调整显示效果。
3.8 键盘电路工作原理

图3.8.1 键盘扫描电路
电子词典键盘电路是采用矩阵扫描。图 3.8.1 中，PO（0－7）为矩阵扫描输出端，PI（0－7）
 

电子词典篇

为高电平，键盘控制信号输入端。当开关末接通时，PO（0－7）不停的扫描 110 101 011…在 PO
（0－7）中始终有一个低电平。当输出 PO 与 PI 接通时，为高电平时无法接通，当扫描电压为低电 平时，此时有 PO 流入 PI，由软件进行编程，在进行功能显示，当功能键一起完作用，此时 PO 从 低电平马上升至高电平，完成功能操作。
3.9 存储器电路
在电子词典里常见的存储芯片有三种：MASKROM(Masked Read-Only Memory)掩膜只读存储器， FLASH 闪存和 SRAM（Static Random-Access Memory）静态随机存取器。它们是通过不同的工艺制 造出来的，功能也不尽相同。SRAM 这种芯片也可以任意修改里面的内容，但是在掉电的情况下，它 里面的内容会全部丢失。
通常我们的电子词典里有很多内容，如词典，游戏，电话本等很多资料，通常我们把不需要更 改的资料放在 MASKROM 里，如朗文词典，需要更改的资料放在 FLASH 里面，如名片，记事本等。SRAM 里存放的不是我们通常可以看到的资料、文件，它存放的东西是我们的程序运行时建立的一些临时 的标志，中间数据等。有时候 MCU 里的东西放不了啦，暂时寄存在它这里一下，也可以说是一个中 转站。这个中转站主要是给我们的程序用。如果拿电脑来打比方的话，SRAM 相当于电脑的内存， MASKROM 相当于光碟，只读不写，FLASH 相当于硬盘，可读可写。
这三种芯片各有不同的用处，我们所需要的各种容量大小也不一样。如 SRAM，我们主要看所写 软件的复杂程度来确定所需容量的大小，软件越复杂，功能越多，所需 SRAM 越大。目前我们的大 部分词典的 SRAM 都是 MCU 自带的，也就是集成在 MCU 芯片内部，也有些机器用了外部扩展的 SRAM。
与 SRAM 很类似的还有 SDRAM，SDRAM 和 SRAM 的不同之处在于：SRAM、是静态随机存取存储器的缩 写(static random access memory)通常用作系统的高速缓冲存储器。它的速度很快,但是价钱昂贵； SDRAM、是同步动态随机存取器，速度慢一些，但价格便宜，容量一般做的比较大，计算机系统如
家用 PC 常用到它，如果某些系统所需 RAM 容量比较大，要求的速度不是那么快，就可以用到它。 FLASH、通常用来存储下载资料，名片、记事本等。我们使用的有 1MB、2MB、4MB、8MB、128MB
字节等.这里有几个换算公式，1 兆（MB）=1k*1k=1024*1024,1 字节= 8 位。 FLASH、大致分为两种类型，一种是 NOR FLASH,一种是 NAND FLASH。NOR FLASH 就是我们现有
的字典的所用的 FLASH,如果我们打开机器，我们能看到有印着 SST39VFxx 的就是，其中 SST39VF080
是 8 兆位的，也就是 1 兆字节。SST39VF016 是 16 兆位的，也就是 2 兆字节。
NAND FLASH、一般用做大容量存储，如 MP3,U 盘等, NAND FLASH 同 NOR FLASH 相比，NAND FLASH 出错的几率要高一些，但 NAND FLASH 可以做到很大容量，现在我们一般用的有 128 兆和 256 兆的。 对于同样容量的 FLASH 来说，NAND FLASH 要便宜很多。
MASKROM、通常用做大容量资料存储，相对于同容量的 SRAM 或 FLASH, MASKROM 的价格是最便 宜的。MASKROM 里的 MASK 是指的一种工艺方法，叫做掩膜。通过这种方法把要存储的内容在 ROM 的生产厂家一次性的写入到所有的 ROM 中。这种生产出来的 ROM 就叫做掩膜只读存储器。
ROM、生产厂家还提供另外一种叫做 OTP(ONE TIME PROGRAMMABLE)的 ROM，这种 ROM 不需要掩 膜，可以一次性烧录，生产的数量可以是几个，生产周期也快很多。降低了风险。但在价格上比 MASKROM 要稍贵一些。
EPROM、(ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY)是指可用紫外光擦除的可编程的只读存 储器，它里面的内容可用紫外光照射的方法来擦除，擦除内容后可以编程。容量不大，封装比较麻 烦，要保证芯片的表面可以让紫外光照到，封装出来后体积比较大，一般用来进行工程开发或使用 在对体积要求不高的场合，在成型产品上基本没有使用。
3.9.1、37020 方案的存储器(朗文 4980)

本机采用 4 个外部存储器，U5 是一个 16MB 的 MASKROM 内部存放的是程序与字库；U6、U7 是 一个 8MB 的 ROM 存放的内容与 U5 相同；U8 是一个 1MB 用户存储器，存放用户资料（网络下载的资 料与用户写入的数据资料）。注：MASKROM 是只读存储器，由公司一次性驻入资枓不能更改，主要 存放程序与字库；FLASH 是随机存储器断电后资枓不会丢失，而且可以更换；这四个存储器有两种 不同组合使用方法如图 3.9.1 所示。
使用 U5、16MB MAKROM 与 U8、1MB FLASH 时电路需增加 Q1 与 U9 进行配套使用（Q1 是一个开关 电路，U9 是一个或非门电路）；使用 U6、U7、8MB FLASH 与 U8、1MB FLASH 这种组合方式，电路不 需做任何改动。
3.9.10 串口电路
RS-232、RS-422 与 RS-485 都是串行数据接口标准，最初都是由电子工业协会（EIA）制订并发 布的。RS-232、RS-422 与 RS-485 标准只对接口的电气特性做出规定，而不涉及接插件、电缆或协 议，在此基础上用户可以建立自己的高层通信协议。
RS-232 串行接口标准
目前 RS-232 是 PC 机与通信工业中应用最广泛的一种串行接口，在歩步高现行电子词典中均采 用这种标准。RS-232 被定义为一种在低速率串行通讯中增加通讯距离的单端标准。RS-232 采取不 平衡传输方式，即所谓单端通讯。
收、发端的数据信号是相对于信号地.典型的 RS-232 信号在正负电平之间摆动，在发送数据时， 发送端驱动器输出正电平在+5～+15V，负电平在-5～-15V 电平。当无数据传输时，线上为 TTL，从 开始传送数据到结束，线上电平从 TTL 电平到 RS-232 电平再返回 TTL 电平。接收器典型的工作电 平在+3～+12V 与-3～-12V。由于发送电平与接收电平的差仅为 2V 至 3V 左右，所以其共模抑制能力 差，再加上双绞线上的分布电容，其传送距离最大为约 15 米，最高速率为 20kb/s。RS-232 是为点 对点（即只用一对收、发设备）通讯而设计的，其驱动器负载为 3～7kΩ。所以 RS-232 适合本地设 备之间的通信。
RS-422 与 RS-485 串行接口标准
1．平衡传输
RS-422、RS-485 与 RS-232 不一样，数据信号采用差分传输方式，也称作平衡传输，它使用一 对双绞线，将其中一线定义为 A，另一线定义为 B 。
通常情况下，发送驱动器 A、B 之间的正电平在+2～+6V，是一个逻辑状态，负电平在-2～6V，是另 一个逻辑状态。另有一个信号地 C，在 RS-485 中还有一“使能”端，而在 RS-422 中这是可用可不 用的。“使能”端是用于控制发送驱动器与传输线的切断与连接。当“使能”端起作用时，发送驱
 

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