晶体管CHM74T-M157(A)参数

CHM74T-M157(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极...

   2017-05-16

晶体管APT10050FN参数

APT10050FN材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：极限电流Im：2...

   2017-05-16

晶体管CHMT418C-M158(A)参数

CHMT418C-M158(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：400极限电流Im：18...

   2017-05-16

晶体管CHM11T-M157(A)参数

CHM11T-M157(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极...

   2017-05-16

晶体管CHM01T-,M157(A)参数

CHM01T-,M157(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2017-05-16

晶体管CHM13C-M157(A)参数

CHM13C-M157(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：200极...

   2017-05-16

晶体管2SK1532参数

2SK1532材料：N-FET外形：图用途：宽频带放大,音频（低频）,开关,极限电压Vm：50极限电流Im：6.5m ...

   2017-05-16

晶体管2SK1215参数

2SK1215材料：N-FET外形：图用途：高频放大（射频放大）,甚高频,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：20极限...

   2017-05-16

RM50302F(A)参数

RM50302F(A)材料：FET外形：图用途：MOSFET独立组件,极限电压Vm：500极限电流Im：30&nb...

   2017-05-16

晶体管PM45502C参数

PM45502C材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关电源,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流I...

   2017-05-16

晶体管PM50502C参数

PM50502C材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关电源,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流I...

   2017-05-16

晶体管PM4550C参数

PM4550C材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：5...

   2017-05-16

晶体管2SK1975参数

2SK1975材料：N-FET外形：图用途：开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：...

   2017-05-16

晶体管2SK1974参数

2SK1974材料：N-FET外形：图用途：开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：2...

   2017-05-16

晶体管2SK1976参数

2SK1976材料：N-FET外形：图用途：开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：450极限电流Im：...

   2017-05-16

晶体管2SK1973参数

2SK1973材料：N-FET外形：图用途：开关,激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：60极限电流Im：2...

   2017-05-16

2SJ243参数

2SJ243材料：P-FET外形：图用途：开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：30极限电流Im：0.1 ...

   2017-05-16

晶体管3SK245参数

3SK245材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：18极限电流Im...

   2017-05-16

晶体管3SK246参数

3SK246材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,极限电压Vm：18极限电流Im...

   2017-05-16

晶体管3SK242参数

3SK242材料：N-FET外形：图用途：耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：8极限电流Im：25m&nb...

   2017-05-16