• 场效应管AOP610

    概述:AOP610是一款复合型DIP 8脚封装的场效应管(较少见),其内部集成了一个N沟场效应管和一个P沟场效应管,其引脚功能及实测数据见表1所示。 一、AOP610引脚功能 二、AOP610典型应用电路 ...

    攀声源   2024-02-24

  • 双P沟道增强模式场效应管AO4801/L

    概述:AO4801和AO4801L为贴片SOIC-8封装形式,内含两只P沟道场效应管,如图1所示,每只场效应管的S、D极间最大电流为5A,S、D极间的最大电压为30V,具体参数如下:Vds (v)=-30V,Id=-5A (V&=- 10V ),Rds (ON)<49M...

    景曙光   2023-12-17

  • 单P沟道8脚贴片元件9435

    概述:9435系列8脚贴片元件的具体型号较多,如FDS9435、CEM9435等。该元件虽为8脚贴片封装,但内部实为一只P沟道场效应管,最大漏源电流Idsm为5.3A,最大漏源电压Vbds为30V ,最大耗散功率Pdsm为2.5W。 一、9435典型应用电路...

    景曙光   2023-12-08

  • Fairchild飞兆系列N沟道MOSFET管主要参数速查表

    说阴:BVDSS表示D、S极间的最高耐压;实际工作电压不得高于此电压;RDS(on)表示在G、S极间加上一定电压时的D、S极间导通电阻,Max表示最大值;Qg表示在GS极间加上一定电压时的栅极(G)充电电量,单位是库仑(C);V...

    马海川   2023-05-13

  • 常用新型贴片场效应管主要参数与封装形式一览

    在平板电视、平板电脑、笔记本电脑、MP4、移动DVD等家电产品,大量采用了贴片场效应三极管(许多产品引脚超过三只)。本表特搜集了上述家电产品常用的贴片场效应三极管的主要参数、封装形式及引脚功能等资料,供维修人员选管时参考。表中“...

    王绍华   2023-04-23

  • P+N沟道8脚贴片MOSFET芯片Y-QFT4503M

    Y-QFT4503M采用8脚贴片封装,实为一只复合MOSFET,内含一只P沟道和N沟道场效应管,如图1所示,其最大漏源电流Idsm为7A,最大漏源电压Vds为30V。该元件在TCL液晶彩电中的应用电路如图2所示,U1.U2 (y-QFT450...

    景曙光   2023-01-14

  • SI4942双N沟道的MOSFET

    SI4942是一个双N沟道的MOSFET管,内置有两个40V的N沟道MOSFET管,如图1所示。该元件多用于液晶彩电的背光灯管驱动电路,与高压输出变压器组成桥式功率推挽电路,接收前级的激励脉冲,输出正弦波电压驱动CCFL灯管。 ...

    景曙光   2023-01-14

  • LY系列常用芯片及MOSFET管主要参数

    1、DC-DC升压IC芯片 2、DC-DC降压IC芯片 3、DC-DC反转倍压芯片 4、低压差线性稳压器LDO 5、高耐压LDO 6、低电压...

    伍永顺   2022-10-26

  • 115种常用大功率高耐压场效应管参数

    型 号 耐压(V) 电流(A) ...

    佚名   2022-05-23

  • MOS场效应管ME9435A

    概述:ME9435A是一款MOS场效应管集成IC电路,其工作电流5A、耐压30V,它是一个P沟道的MOS管,可以用来做电子开关作用,它的1、2、3脚是输入电压,5、6、7、8是输出,4脚电平输出。ME9435A采用贴片SOP-8脚封装工艺。 一、ME9435...

    王朋整理   2022-05-18

  • 扬杰科技中低压MOS管主要参数速查表

    扬杰电子科技股份有限公司(简称扬杰科技)成立于2000年,公司总部位于我国扬州市,该公司集半导体分立器件与芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务于一体,其产品有整流器件、保护器件、MOS管、功率模块等多种类型,广泛用于家电、照明、工控、汽...

    景然   2022-04-10

  • 常见MOS管主要参数与代换速查表

    ...

    景曙光   2022-04-10

  • MOSFET(场管)代换一览表

    MOSFET管代换一览表说明:可以相互替代的一些场管,如无特别说明,同一条内的管子可以相互替换。 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >,可替代市面上各类型9435 : APM9435、CEM9435、AP...

    官修qq整理   2022-03-29

  • N沟道功率MOS场效应管8205S

    概述:8205S是一款N沟道功率MOS场效应管,漏源最大电压20V,栅源电压±8V,最大漏极电流5A。 一、8205S引脚功能 二、8205S方框图 三、8205S极限电气参数 ...

    中华维修整理   2022-03-16

  • NEC系列MOSFET管主要参数速查表

    表格说明:(1)表中Vxs (max)表示漏源极击穿电压,ID(max)表示漏源极最大直流电流,PD(max)(W)表示环境温度为25°C时的最大耗散功率,VGS(max)表示加在栅源极的最大电压,RDS(on)(tp)表示在外...

    景然   2022-01-29

  • 金属氧化物场效应管IRFU020

    IRFU020 金属氧化物场效应管,其采用TO-251封装工艺。 材料:N-FET 用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm:50V 极限电流Im:15A 耗散功率P:42W 导通电...

    中华维修整理   2020-09-08

  • 部份电磁炉用场效应管主要参数(表)

    下表中均为NPN型场效应管,型号前带*号者为C.E极间附有阻尼二极管。 型号 最高反压V 最大电流I ...

    佚名   2020-05-06

  • 大功率场效应管BUZ91A的参数与代换

    BUZ91A是一个大功率场效应管,其漏源击穿电压Vvrds=900V、漏极电流Id=5A、漏极最大耗散功率25W,所以BUZ91A可以用2SK10、IXGH10N100、MTM6N90、MTM8N90等直接代换。 ...

    voyager整理   2019-07-01

  • 电源开关管2SK1198的测量与代换

    2SK1198是一款VMOS场效应管,电源开关管,其参数为BVDss:800V;Ids:3A;ID:6A;PD:90W。用500型万用表测其正常极间电阻为:G极(栅极)对D(漏极)、S极(源极)正反向电阻均为无穷大,红表笔接D极、...

    佚名   2019-06-30

  • 大功率MOS场效应管BUZ90A

    概述:BUZ90A是一款大功率增强型N沟道V-MOS场效应管,其主要参数源、漏极间最大电压Vgss=900V、漏极电流Idss=8A、最大功率Pdm=120W。BUZ90A可用BUZ91A、MTM8N90、IXGH15N100、2SK794等场效应来直接代换。 ...

    张磊整理   2019-06-28