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晶体管HGTH12N50C1D参数

整理日期:2008-7-23 22:04:43 资料编辑: 点击次数:

HGTH12N50C1D

  材料：IGBT

  外形：图

  用途：功率放大,开关,

  极限电压Vm：500

  极限电流Im：12

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：75

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：

  导通电阻Rds：

  开关时间：100/500

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：


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