您当前的位置：晶体管IXTH75N10参数
整理日期:2008-7-24 20:49:05 资料编辑: 点击次数:
材料：N-FET
外形：图
用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,
极限电压Vm：100
极限电流Im：75
最大漏极电流Idss：
耗散功率P：250
最大输出耗散功率Po：
最高工作频率fm：
导通电阻Rds：0.02
开关时间：110/95
噪声系数Nf：
噪声电压Vn：
国内外相似型号：IXTM75N10(A)
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