晶体管MTH8N60参数

MTH8N60

  材料：N-FET

  外形：图

  用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,

  极限电压Vm：600

  极限电流Im：8

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：150

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：

  导通电阻Rds：0.5

  开关时间：

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：BUZ332A