3SK40

  材料:N-FET

  外形:图

  用途:双栅四极,高频放大(射频放大),甚高频,混频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,

  极限电压Vm:20

  极限电流Im:25m

  最大漏极电流Idss:

  耗散功率P:0.25

  最大输出耗散功率Po:

  最高工作频率fm:200M

  导通电阻Rds:

  开关时间:

  噪声系数Nf:

  噪声电压Vn:

  国内外相似型号: