可控硅是一种应用非常广泛的半导体器件，按照其功率和用途不同，大致有晶体管式、螺栓式和平板压接式三种封装形式，如图1所示。本文将介绍最常用的单向可控硅和双向可控硅的基本性能及业余检查方法。
  可控硅是一种应用非常广泛的半导体器件，按照其功率和用途不同，大致有晶体管式、螺栓式和平板压接式三种封装形式，如图1所示。本文将介绍最常用的单向可控硅和双向可控硅的基本性能及业余检查方法。 
  1．单向可控硅 
  也称直流可控硅，电路符号如图2所示。单向可控硅是由P—N—P—N四层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出端分别为阳极A、阴极K和控制极G。假设用一条线将其内部四层半导体材料分成两部分，就可以用PNP和NPN两个晶体管的组合电路来等效，如图3所示。 
    单向可控硅具有以下特性： 
    (1)反向连接(即A接通电源负端、K接电源正端)时，无论控制极所加电压是什么极性，它都是不导通的，处于关断状态； 
    (2)正向连接(即A接电源正端，K接电源负端)时，控制极所加电压为负时，它也是关断的；控制极加正电压时它可以导通。 
  2．双向可控硅 
  也称交流可控硅．它是由N—P—N—P—N五层半导体材料构成的。对外有三个电极，T1、T2为主电极，G为控制极，它可以等效为两只单向可控硅的组合电路，如图4所示。其电路符号如图5所示。 
    双向可控硅两个主电极T1、T2无阳极和阴极之分，即无论在两个主电极间加何种极性的电压(如交流电)，只要在控制极加上一个触发脉冲，均能使其导通。这与单向可控硅的触发特性有很大不同。 
    双向可控硅可能有以下四种触发方式： 
    (1)T1>T2，G>T2； 
    (2)T1>T2，G<T2： 
    (3)T1<T2，G>T2； 
    (4)T1<T2，G<T2。 
    一般可控硅产品只保证前三种触发方式的可靠性，尤以第三种触发方式最为可靠，在选择触发方式时，应加以注意。 
  3．业余检查方法 
  业余条件下，可用万用表对可控硅的好坏进行粗略的判断。 
    单向可控硅的检查，可用万用表R×1k档测量A、K两极间正、反向电阻，正常时均应为∞，若为零或阻值较小．说明内部短路击穿或漏电；再测G、K两极间正、反向电阻，由于G、K间是一个PN结(见图3)．所以应有类似二极管的正、反向阻值。即正向电阻较小．反向电阻极大。若两次测量阻值均很大或均很小，说明G、K间开路或短路漏电；若正、反向电阻相等或接近，则PN结已失去单向导电作用，可控硅失效。然后检查动态工作能力．具体方法是：用万用表R×10k档．负表笔(表内电池正极)接阳极A．正表笔(表内电池负极)接阴极K，此时读数应为∞。再用一根导线短接G、A极．若读数大幅度下降，说明可控硅已被触发导通，此时拿掉导线，如仍能保持导通，则可控硅是好的，否则为其性不不良或A、K极问开路。 
  双向可控硅的检查方法与上述相同，只是测量时表笔可不用再分正负。